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纳米氧化锌抗菌剂金属离子掺杂的分析

纳米氧化锌抗菌剂金属离子掺杂的分析

  • 分类:抗菌防霉技术
  • 作者:广州晶傲
  • 来源:广州晶傲
  • 发布时间:2022-07-31
  • 访问量:0

【概要描述】对纳米氧化锌ZnO进行金属离子掺杂后,在ZnO晶格中就会产生缺陷,形成富电子性的半导体,延长了ZnO抗菌剂发挥氧化还原作用的时间,提高了抗菌效果。但金属离子掺杂比例过高,会削弱了对光能的利用,导致抗菌剂的抗菌性能的降低。

纳米氧化锌抗菌剂金属离子掺杂的分析

【概要描述】对纳米氧化锌ZnO进行金属离子掺杂后,在ZnO晶格中就会产生缺陷,形成富电子性的半导体,延长了ZnO抗菌剂发挥氧化还原作用的时间,提高了抗菌效果。但金属离子掺杂比例过高,会削弱了对光能的利用,导致抗菌剂的抗菌性能的降低。

  • 分类:抗菌防霉技术
  • 作者:广州晶傲
  • 来源:广州晶傲
  • 发布时间:2022-07-31
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纳米氧化锌ZnO属于n型半导体,其离子晶体中会因点缺陷的存在而形成正电中心,正电中心能够束缚一个电子,然而这个被束缚的电子又很容易挣脱而成为导带中的自由电子。可以说,晶格缺陷的存在延长了光生电子—空穴的寿命,在缺陷的作用下二者难以复合,从而发挥其氧化还原作用。单纯的纳米氧化锌ZnO或是颗粒较大且形成较完美结晶的ZnO粒子,含有的缺陷较少,存在的电子和空穴也相对较少,大量的光生电子—空穴对在形成后会立即复合消失,导致其量子效率低,抗菌效果不显著。根据杂质太理论,在半导体中引入杂质原子、空位和其他缺陷会使局部晶格发生畸变。当对纳米氧化锌ZnO进行金属离子掺杂后,在ZnO晶格中就会产生缺陷,形成富电子性的半导体。由于缺陷的存在延长了光生电子空穴的寿命,使其在形成后不能立即复合,延长了ZnO抗菌剂挥氧化还原作用的时间。

 

 

但是,对于纳米氧化锌ZnO的金属离子掺杂比例并不是越多越好,若掺杂比例过高,材料的抗菌性能反而出现了不同程度的下降。因为掺杂量过高不利于ZnO晶体人形成,其半导体性和光催化活性就无法显示出来。当离子掺杂到一定浓度时,超出了ZnO固溶体的掺杂界限,ZnO的六方形晶格结构将不复存在,削弱了对光能的利用,导致抗菌剂的抗菌性能的降低。

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